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　　美光公司在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品未(wèi)通过(guò)网络安全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安全审(shěn)查(chá)办公室(shì)依法对美光公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产品(pǐn)存(cún)在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全(quán)问题(tí)隐患，对我国关键信息(xī)基(jī)础设施供应链造成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查(chá)办(bàn)公室(shì)依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设(shè)施的运营者应停(tíng)止采(cǎi)购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次(cì)对(duì)美光(guāng)公司产品进行(xíng)网络安全(quán)审查，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问题(tí)危(wēi)害(hài)国家关(guān)键信息基础设施安全，是(shì)维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维(wéi)护国家(jiā)安全(quán)，依据(jù)《中华人民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美(měi)国的存储芯50g是几两 50g是一两吗(xīn)片行业龙头，也是全球(qiú)存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披露(lù)过(guò)美光(guāng)等国(guó)际(jì)存储厂(chǎng)商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经(jīng)不是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大(dà)、第二(èr)大和(hé)第三大供应商(shāng)采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.8550g是几两 50g是一两吗％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游(yóu)市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也与国内国(guó)产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前(qián)就(jiù)分(fēn)析，如果美光(guāng)在中国区(qū)销售受到(dào)限制，或将导致下游客户转而(ér)采(cǎi)购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要(yào)经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或(huò)者50g是几两 50g是一两吗沟槽，催(cuī)生更(gèng)多(duō)设(shè)备需(xū)求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江存储被加入(rù)美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司(sī)份额提(tí)升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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