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　　美光公(gōng)司(sī)在华销售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法对美光(guāng)公司在华销售(shòu)产品进行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美光公司(sī)产品(pǐn)存(cún)在较严(yán)重网络安(ān)全(quán)问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患(huàn)，对(duì)我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安(ān)全风(fēng)险，影响我国国家(jiā)安全。太乙天尊是谁 太乙天尊是太乙真人吗ng>为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产品(pǐn)进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危(wēi)害国家关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设(shè)施(shī)安全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规(guī)要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发文(wén)称，为(wèi)保障(zhàng)关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国(guó)家(jiā)安(ān)全，依据《中华人民共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美(měi)光是美国(guó)的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙(lóng)第(dì)一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下(xià)游建立国内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波龙(lóng)与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公(gōng)司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如(rú)果(guǒ)美光在(zài)中(zhōng)国区销售(shòu)受到(dào太乙天尊是谁 太乙天尊是太乙真人吗)限制，或将(jiāng)导致下游客(kè)户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器(qì)的(de)生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国(guó)限(xiàn)制名(míng)单，设备(bèi)国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。