大家好，来看一则突发(fā)消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息(xī)，日(rì)前(qián)，网络(luò)安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室(shì)依法对美光公司在华(huá)销售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家(jiā)安(ān)全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依(yī)法作出(chū)不(bù)予通过(guò)网络安全(quán)审查的结论(lùn)。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题(tí)危(wēi)害国家关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施安全(quán)，是维(wéi)护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进(jìn)高水平(píng)对外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类(lèi)平(píng)台产品(pǐn)服(fú)务进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供(gōng)应链安全(quán)，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共(gòng)和国网络(luò)安(ān)全法》，网络安(ān)全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国(guó)市场收(shōu)入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比(bǐ)已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波(bō)龙第(dì)一大存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商(shāng)采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产业(yè)链(liàn)上(shàng)下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游(yóu)市场(chǎng)的供(gōng)应优势(shì)，公(gōng)司(sī)也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有券商云南属于南方还是北方，云南属于南方还是北方人此前就(jiù)分析，如果美光在中国区(qū)销售受到限制，或将(jiāng)导致下(xià)游(yóu)客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器(qì)的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最(zuì)关(guān)键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需(xū)要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能(néng)云南属于南方还是北方，云南属于南方还是北方人会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以(yǐ)及存(cún)储(chǔ)业(yè)务占比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上(云南属于南方还是北方，云南属于南方还是北方人shàng)海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长。

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