大(dà)家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室依法对美(měi)光公(gōng)司在华销售产品进行了网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国(guó)关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施供(gōng)应链造成(chéng)重大(dà5公里世界纪录多少 5公里世界纪录是几分钟)安全风(fēng)险，影响我国(guó)国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全审查的(de)结论。按照《网络(luò)安全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息(xī)基(jī)础设施的运(yùn)营者(zhě)应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是(shì)防(fáng)范产(chǎn)品网络安全(quán)问题危害国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护国家(jiā)安全的必要(yào)措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要(yào)遵(zūn)守中(zhōng)国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文称，为保障关键信息基(jī)础设(shè)施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患(huàn)造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办公(gōng)室(shì)按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络(luò)安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披(pī)露(lù)过美(měi)光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购(gòu)占比(bǐ)已(yǐ)经显著下(xià)降，至少已经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大(dà)、第二大和第(dì)三大供(gōng)应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波龙与三星、美光、西(xī)部数(shù)据等(děng)主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的(de)供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的(de)合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致下游(yóu)客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同(tón5公里世界纪录多少 5公里世界纪录是几分钟g)时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更多设(shè)备需(xū)求。据东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加入美国限制名单(dān)，设备(bèi)国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额提(tí)升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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