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　　美光公司(sī)在华(huá)销售(shòu)的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司产品存在较严(yán)重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链造(zào)成重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查的(de)结论。按(àn)照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息(xī)基础设施的(de)运营者应(yīng)停止采购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对(duì)美光(guāng)公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的(de)是防范产品网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题危害国家关键信息(xī)基础设(shè)施安(ān)全，是维护国(guó)家(jiā)安全的(de)必要措施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平对外(wài)开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信(xìn)网发文(wén)称(chēng)，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应(yīng)链安(ān)全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国(guó)家安全，依据《中华(huá)人民共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共和(hé)国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室(shì)按(àn)照《网络安全审查办法》，对(duì)美(měi)光(guāng)公司（Micron）在(zài)华(huá)销售(shòu)的产品实(shí)施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美(měi)光等(děng)国(guó)际(jì)存(cún)储(chǔ)厂商(shāng)为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第(dì)二大和第三(sān)大(dà)供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在(zài)存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂赵丽颖一女战五男什么梗，赵丽颖叫玉镯是形容什么(chǎng)签署(shǔ)了长期合(hé)约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公(gōng)司也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券(quàn)商此(cǐ)前就分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销售受(shòu)到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户转而(ér)采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器的(de)生产(chǎn)已经演进到1Xn赵丽颖一女战五男什么梗，赵丽颖叫玉镯是形容什么m、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄(báo)膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可(kě)能会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被(bèi)加入美国(guó)限制(zhì)名单(dān)，设备国产(chǎn)化进(jìn)程(chéng)加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科(kē)技（薄(báo)膜沉(chén)积(jī)）等(děng)相关公司份额提(tí)升(shēng)，以及(jí)存(cún)储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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