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　　美光(guāng)公司在华(huá)销售的(de)产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华(huá)销(xiāo)售(shòu)产品进行(xíng)了网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关(guān)键信息基础设施供应链造成重大安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不(bù)予通过网(wǎng)络安(ān)全审查的(de)结论。按照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键信息基础(chǔ)设(shè)施的运营(yíng)者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)进行网络(luò)安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危(wēi)害国家关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施安(ān)全(quán)，是维护国家安全(quán)的必(bì)要措施。中国(guó)坚(jiān)定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规(guī)要(yào)求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各(gè)类(lèi)平台产品服务(wù)进入(rù)中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息(xī)基(jī)础设施供(gōng)应链安全(quán)，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安全(quán)风(fēng)险，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中华(huá)人民共和国国(guó)家日本还敢不敢打中国，日本未来会打中国人吗(jiā)安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络(luò)安(ān)全(quán)审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业(yè)日本还敢不敢打中国，日本未来会打中国人吗龙头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等(děng)国(guó)际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链上下游(yóu)建立国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部(bù)数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应(yīng)优势(shì)，公司(sī)也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥(féi)长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等(děng)竞(jìng)对(duì)产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名(míng)单，设(shè)备国产化(huà)进程(chéng)加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司(sī)份额提升，以(yǐ)及(jí)存储(chǔ)业务(wù)占比较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长。

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