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　　美光公司在华销售的(de)产品(pǐn)未(wèi)通(tōng)过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息(xī)，日前，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依(yī)法(fǎ)对美光公司在华(huá)销售产品(pǐn)进行了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现(x世上真有孙悟空存在吗，世界上有没有孙悟空iàn)，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国(guó)家安全(quán)。为此，网络安(ān)全审查(chá)办公室依(yī)法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施的(de)运营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公(gōng)司产品(pǐn)进行网络安全审查(chá)，目的是(shì)防范产品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安全(quán)问(wèn)题危害国家关键信息基(jī)础设施安全，是维护(hù)国家安全的必(bì)要措施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风(fēng)险，维护(hù)国家(jiā)安(ān)全，依据《中华人(rén)民共和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全(quán)审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国(guó)市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)1世上真有孙悟空存在吗，世界上有没有孙悟空1％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不(bù)是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商采购金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下游建立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的(de)供应优势，公(gōng)司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品世上真有孙悟空存在吗，世界上有没有孙悟空(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益(yì)。存储器(qì)的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻(kè)蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设(shè)备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入(rù)美国限(xiàn)制名单(dān)，设备国产(chǎn)化进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份额(é)提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗(xǐ)）等(děng)收(shōu)入(rù)增(zēng)长。

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