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　　美光公司在(zài)华(huá)销(xiāo)售的产品未通过(guò)网络安全审查(chá)

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络(luò)安全审查办公室依法对美光公司(sī)在华销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司(sī)产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施供(gōng)应链(liàn)造成(chéng)重(zhòng)大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我(wǒ)国国(guó)家(jiā)安全。为此，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内(nèi)关键信息基(jī)础设施的(de)运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进(jìn)行网络安全(quán)审查，目的是防范产品网络安全(quán)问题危害国(guó)家(jiā)关键信息基(jī)础设施安全，是维(wéi)护国(guó)家安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚定推进高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务(wù)进入中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发(fā)文称，为保障关键信息基(jī)础设施供应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安(ān)全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公室(shì)按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品实施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的(de)存储芯片(piàn)行业龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在(zài)全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要(yào)大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙第一大(dà)存储晶圆供应商三公里是多少米，三公里是多少米，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经在(zài)存储产业(yè)链上下(xià)游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等(děng)主要存(cún)储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约，确(què)保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的(de)合(hé)作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美(měi)光在中国(guó)区销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进(jìn)到1三公里是多少米，三公里是多少米Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最(zuì)大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国(guó)产化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司(sī)份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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