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　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依(yī)法对(duì)美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室依法作出(chū)不予通过网络安(ān)全审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施(shī)的运营者应停止采购(gòu)美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进(jìn)行网络安全审(shěn)查，目的(de)是防范产(chǎn)品(pǐn)网络(luò)安全问题危害国(guó)家关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全(quán)的必(bì)要措施(shī)。中国(guó)坚定推进高水平(píng)对外(wài)开放，只要(yào)遵(zūn)守中国(guó)法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类(lèi)平台(tái)产品(pǐn)服务进(jìn)入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信网(wǎng)发(fā)文(wén)称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人(rén)民(mín)共和(hé)国(guó)网络(luò)安全(quán)法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市jk袜子总是掉怎么办，足球袜套j场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著(zhù)下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和第(dì)三(sān)大(dà)供应商采购金(jīn)额占(zhàn)比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在(zài)存储产业(yè)链上下(xià)游建立国内外广泛(fàn)合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在(zài)下游市场的供(gōng)应优势(sjk袜子总是掉怎么办，足球袜套jhì)，公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游客(kè)户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积工(gōng)艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更多设备需(xū)求。据(jù)东京电子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名(míng)单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提(tí)升(shēng)，以及(jí)存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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