大(dà)家(jiā)好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公司在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了(le)网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在(zài)较严(yán)重网(wǎng)络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施供应链造(zào)成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安(ān)全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法作出不予(yǔ)通过网络安全(quán)审查的结(jié)论。按照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络(luò)安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息基础设施(shī)安全，是维护国(g漠北是现在的哪里，明朝的漠北是现在的哪里uó)家安全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网(wǎng)络安全(quán)风险，维护国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实施网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （漠北是现在的哪里，明朝的漠北是现在的哪里闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等(děng)公司(sī)披露过(guò)美(měi)光(guāng)等国际存储厂商为公(gōng)司供应漠北是现在的哪里，明朝的漠北是现在的哪里商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第(dì)二大和第(dì)三大供(gōng)应(yīng)商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据(jù)等主要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应(yīng)的(de)稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下游市场的供应优(yōu)势，公司(sī)也与国(guó)内(nèi)国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就(jiù)分析，如(rú)果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可(kě)能会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更(gèng)多(duō)设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名(míng)单，设备国(guó)产化进(jìn)程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜(mó)沉积(jī)）等相关公司(sī)份额提(tí)升，以及(jí)存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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