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　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品酒精灯火焰温度是多少度，酒精灯火焰温度范围进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重大安(ān)全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出不予通过(guò)网络安全(quán)审查的结(jié)论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)，目(mù)的是(shì)防范产品网络安全问(wèn)题(tí)危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护(hù)国家(jiā)安全的必要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要(yào)遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文(wén)称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共(gòng)和(hé)国(guó)国家安全法》《中华(huá)人民共和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业(yè)龙头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存(cún)储等公司披(pī)露过美光等国际(jì)存(cún)储厂商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经(jīng)显著下降，至少(shǎo)已经不是(shì)主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光(guāng)位(wèi)列江(jiāng)波龙(lóng)第一(yī)大存(cún)储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三(sān)大供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国(guó)产(chǎn)存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售受到(dào)限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产(chǎn)品(pǐn)

　　分(fēn)析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从中受益。存(cún)储器的(de)生(shēng)产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东(dō酒精灯火焰温度是多少度，酒精灯火焰温度范围ng)京电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限(xiàn)制名单(dān)，设备国产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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