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　　美光公司在华销售的(de)产品未通过(guò)网络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办消息，日(rì)前，网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)公室(shì)依法对美光(guāng)公司在(zài)华销售产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全(quán)问题隐患，对(duì)我国(guó)关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应(yīng)链造成重大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为(wèi)此，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法作(zuò)出不(bù)予通过网(wǎng)络安全审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)，我(wǒ)国内关(guān)键信息基础设(shè)施的运营(yíng)者应停止采(cǎi)购美(měi)光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品。为党和人民的事业奋斗终身还是奋斗终生，奋斗终身还是奋斗终生的意思

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全审查，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网络安全问题危(wēi)害(hài)国(guó)家(jiā)关键信息基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护(hù)国家安全的必(bì)要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业(yè)、各类(lèi)平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中(zhōng)国(guó)网信网(wǎng)发文(wén)称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国(guó)网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的(de)存储芯片(piàn)行(xíng)业(yè)龙头，也是(shì)全球存(cún)储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约(yuē)为 96.76％，三(sān)星(xīng)电(diàn)子(zi)、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司(sī)披(pī)露过美光等(děng)国际(jì)存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采(cǎi)购(gòu)占比已(yǐ)经(jīng)显著(zhù)下降，至(zhì)少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存储产(chǎn)业链上(shàng)下游建立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江波龙(lóng)与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期(qī)合(hé)约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司(sī)在(zài)下游市场的供(gōng)应(yīng)优为党和人民的事业奋斗终身还是奋斗终生，奋斗终身还是奋斗终生的意思(yōu)势，公(gōng)司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或(huò)将导致下游客户(hù)转而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加入(rù)美(měi)国限制名单，设备国(guó)产(chǎn)化(huà)进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

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