大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美(měi)光公(gōng)司在华销售(shòu)的产品(pǐn)未(wèi)通过网(wǎng)络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)

　　据(jù)网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美(měi)光公司(sī)在华(huá)销售(shòu)产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品存(cún)在较严重网(wǎng)络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供(gōng)应(yīng)链(liàn)造成(chéng)重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办公室(shì)依法作出不予通过网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查的结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产(chǎn)品进(jìn)行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是(shì)防范产品网络安(ān)全问题危害国家关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规(倒装句是什么意思举例 语文，倒装句是什么意思举例guī)要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)供应链安全(quán)，防(fáng)范产品问(wèn)题隐患造(zào)成网络(luò)安全风险，维护(hù)国家(jiā)安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共(gòng)和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头(tóu)，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披露过美(měi)光等国际存(cún)储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆(yuán)供应(yī倒装句是什么意思举例 语文，倒装句是什么意思举例ng)商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第(dì)二(èr)大和第三大(dà)供应商采购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在(zài)存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国(guó)内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户(hù)转而采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力(lì)士(shì)，国(guó)内(nèi)长(zhǎng)江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自(zì)长江存储被加入(rù)美国限制名单(dān)，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公(gōng)司份额提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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