大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司(sī)在华销售的产品未通(tōng)过(guò)网络安全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)依法对美光公司在(zài)华(huá)销售产(chǎn)品进行了(le)网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查。

　　审(shěn)查发(fā)现(xiàn)，美光公司(sī)产品(pǐn)存(cún)在较严重网络安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息基础设施供应链造成重大安(ān)全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法作(zuò)出不(bù)予(yǔ)通(tōng)过(guò)网络安全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等法律法规(guī)，黑头导出液是智商税吗，刷酸后黑头全冒出来了可以挤吗ong>我(wǒ)国(guó)内关键信(xìn)息(xī)基础设施的(de)运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美(měi)光公司产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)网络安(ān)全(quán)审查，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施安全，是维护国(guó)家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国(guó)法律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患造成网络安(ān)全(quán)风险，维护国(guó)家安全(quán)，依据(jù)《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全(quán)球存(cún)储芯片(piàn)巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际(jì)存储厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已(yǐ)经显(xiǎn)黑头导出液是智商税吗，刷酸后黑头全冒出来了可以挤吗著(zhù)下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是(shì)主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波(bō)龙(lóng)第一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等(děng)主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng黑头导出液是智商税吗，刷酸后黑头全冒出来了可以挤吗)期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在(zài)下(xià)游市(shì)场的供(gōng)应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商(shāng)此前(qián)就(jiù)分析，如果美光在中国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而(ér)采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储器(qì)的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未(wèi)来(lái)可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存(cún)储业务(wù)占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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