大家好，来看一则突(tū)发(fā)消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在(zài)华(h周深是男的还是女的 周深是哪个公司的艺人uá)销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司(sī)在华销售(shòu)产品进(jìn)行了(le)网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链(liàn)造成(chéng)重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法作(zuò)出(chū)不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按(àn)照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础设施的运(yùn)营者应(yīng)停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次(cì)对美(měi)光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查，目的是防范产(chǎn)品网络安(ān)全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全，是(shì)维(wéi)周深是男的还是女的 周深是哪个公司的艺人护国家安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推(tuī)进高水平对外开(kāi)放，只要(yào)遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题(tí)隐患造成(chéng)网络安全风(fēng)险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络(luò)安全(quán)法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的(de)存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国(guó)市场收(shōu)入(rù)从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美(měi)光等国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采(cǎi)购约(yuē)31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二(èr)大和第三(sān)大供应(yīng)商采购金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在下(xià)游市场的供应优势，公司也与国内(nèi)国(guó)产(chǎn)存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而周深是男的还是女的 周深是哪个公司的艺人(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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