大家(jiā)好，来看一则(zé)突发消息(xī)。

　　美光(guāng)公司在华销售的产(chǎn)品未通过(guò)网络(luò)安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室(shì)依(yī)法对(duì)美光(guāng)公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链(liàn)造成重大安(ān)全风险，影响我国国家同位角的定义和性质和概念，同位角一定相等吗安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法作出不予通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查(chá)的结论(lùn)。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我国内关(guān)键信息(xī)基础设施的运营者(zhě)应(yīng)停止采购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公司产品进(jìn)行网络安全(quán)审查(chá)，目的(de)是(shì)防范产品网络安(ān)全问题(tí)危害国家关键信息(xī)基础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护国(guó)家安全的(de)必要(yào)措施。中国坚定同位角的定义和性质和概念，同位角一定相等吗(dìng)推进高水(shuǐ)平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各(gè)类平(píng)台产(chǎn)品服务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设(shè)施供(gōng)应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络(luò)安(ān)全法》，网络安(ān)全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实(shí)施网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片(piàn)行(xíng)业(yè)龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过(guò)美光(guāng)等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第(dì)二大和第三大(dà)供(gōng)应(yīng)商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在(zài)存(cún)储(chǔ)产业(yè)链上下游(yóu)建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的(de)稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下游市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下(xià)游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器的生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需(xū)求。据东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国限制名(míng)单，设备国(guó)产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及(jí)存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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