大家(jiā)好，来看(kàn)一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的(de)产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依(yī)法对美光公司在(zài)华销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公(gōng)司产品存(cún)在较严重网(wǎng)络安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施供应链(liàn)造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安(ān)全(quán)。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应(yīng)停止采购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产品进行(xíng)网络安全审(shěn)查，目(mù)的是防(fáng)范产品网络安全问(wèn)题(tí)危害国家关键信息基础设(shè)施(shī)安全，是维(wéi)护国家安全(quán)的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定(dìng)推进高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施供应链安(ān)全，防范(fàn)产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和(hé)国国家安全(quán)法》《中华(huá)人民共和国网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审查办公室按照(zhào)《网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办法》，对美(měi)光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片(piàn)行业龙头，也(yě)是(shì)全球存储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年收入来(lái)自中国市场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.7五斤等于多少克，五斤等于多少克千克6％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美(měi五斤等于多少克，五斤等于多少克千克)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已经不是(shì)主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第二(èr)大和第三大供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在(zài)存储产业(yè)链上下游(yóu)建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部数(shù)据等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司(sī)也(yě)与国(guó)内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下(xià)游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单(dān)，设(shè)备国(guó)产化进程加(jiā)速(sù)，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄(báo)膜沉(chén)积）等(děng)相(xiāng)关公司份额提升(shēng)，以及(jí)存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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