大家好(hǎo)，来看一则(zé)突(tū)发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法对美(měi)光公(gōng)司(sī)在(zài)华(huá)销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公(gōng)司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供应链造成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法作出不予通(tōng)过网(wǎng)络安全审查的结论。按(àn)照《网络安(ān)全法》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关(guān)键信息基础设施的运营(yíng)者应停(tíng)止采(cǎi)购(gòu)美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题(tí)危(wēi)害国家关键信息(xī)基础设(shè)施安全，是维(wéi)护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应(yīng)链(liàn)安全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国(guó)网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美国的(de)存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过美(měi)光等国际(jì)存储厂商(shāng)为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购(gòu)占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不(bù)是(shì)主(zhǔ)要大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第二大和第(dì)三大供应(yīng)商(shāng)采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国(guó)内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年(nián)年(nián)报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场的供应优势(s不尽人意是什么意思hì)，公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存(cún)储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国(guó)区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂(chǎng)或(huò)从中(zhōng)受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Z不尽人意是什么意思nm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前(qián)前沿(yán)要刻(kè)到(dào) 60：1的(de)深(shēn)孔，未(wèi)来可(kě)能会更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催(cuī)生更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国限(xiàn)制(zhì)名(míng)单，设备国产化进(jìn)程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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