大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过(guò)网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对美(měi)光公(gōng)司在(zài)华销售(shòu)产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在较严重网络安全(quán)问题(tí)隐患，对我国关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)供应链造(zào)成(chéng)重(zhòng)大安(ān)全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办(bà3尺是多少厘米，3尺3是多少厘米n)公室依(yī)法作出不予通过网络安全审(shěn)查的结(jié)论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营者应停止采购美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络(luò)安全审查，目(mù)的(de)是防范产品网络安全问题危害(hài)国家关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全，是(shì)维(wéi)护国家安全(quán)的必要(yào)措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台(tái)产品(pǐn)服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文(wén)称，为保障关键信息基础设(shè)施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家(jiā)安(ān)全，依据(jù)《中华人民(mín)共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美(měi)国的(de)存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场收入(rù)从此前(qián)高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IH3尺是多少厘米，3尺3是多少厘米S Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。3尺是多少厘米，3尺3是多少厘米

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下(xià)降，至少已经不是(shì)主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江(jiāng)波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星(xīng)、美光(guāng)、西(xī)部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期(qī)合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市场的(de)供(gōng)应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名单，设备(bèi)国(guó)产化(huà)进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆(jīng)科技(jì)（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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