大(dà)家好，来看一(yī)则突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司(sī)在华销售的产品未(wèi)通过(guò)网络(luò)安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络(luò)安全审(shěn)查办公室(shì)依法(fǎ)对(duì)美光(guāng)公司在华销(xiāo)售(shòu)产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出(chū)不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审查的结论(lùn)。按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安(ān)全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息(xī)基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国(guó)家安全(quán)的(de)必要(yào)措施。中国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平(píng)台(tái)产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链安(ān)全(quán)，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人(rén)民(mín)共和国国家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华(huá)销售身份证号码倒数第二位是奇数是男性还是女性，身份证号码倒数第二位是奇数的是男性还是女性的产品实施网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来(lái)自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披露过美光(guāng)等国际(jì)存储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商(shāng)。身份证号码倒数第二位是奇数是男性还是女性，身份证号码倒数第二位是奇数的是男性还是女性p>

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立(lì)国(guó)内外广泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂签(qiān)署了(le)长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性(xìng)，巩固(gù)公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销(xiāo)售受(shòu)到(dào)限制，或(huò)将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上(shàng)游设备厂(chǎng)或(huò)从中(zhōng)受益。存(cún)储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的(de)结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会(huì)更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化进(jìn)程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华(huá)海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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