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　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依法(fǎ)对美光公司(sī)在华销售产品进行了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施(shī)供应链造(zào)成重(zhòng)大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室依法作(zuò)出(chū)不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)的运营者应停止采购美(měi)光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美(měi)光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎(yíng)各(gè)国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng耐克品牌和乔丹品牌是什么关系)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链安(ān)全(quán)，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安(ān)全风险，维(wéi)护国(guó)家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共(gòng)和国网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室(shì)按照(zhào)《网络安(ān)全审查办法》耐克品牌和乔丹品牌是什么关系，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的(de)存储芯片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波(bō)龙、佰维存(cún)储等公司披(pī)露(lù)过美光等国际(jì)存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经(jīng)显著(zhù)下降，至(zhì)少(shǎo)已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链(liàn)上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美(měi)光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市(shì)场的供应优势，公司也(yě)与国(guó)内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设(shè)备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储器(qì)的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转变(biàn)使刻(kè)蚀和(hé)薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最(zuì)大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为(wèi)75％。自(zì)长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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