大家好，来看(kàn)一(yī)则突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公(gōng)司在华销售的(de)产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进(jìn)行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网络安全(quán)问(wèn)题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键信(xìn)息(xī)基础设施供应(yīng)链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络(两丈等于多少米luò)安全审查办公室依(yī)法作出(chū)不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者应停止采购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施(shī)安(ān)全(quán)，是维(wéi)护国家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外(wài)开(kāi)放(fàng)，只(zhǐ)要(yào)遵(zūn)守中国法律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司(sī)披露过美(měi)光等国际(jì)存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已(yǐ)经显著下降，至少已经(jīng)不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业链上下(xià)游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的(de)供应优势，公司也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如(rú)果美光在中国区(qū)销两丈等于多少米售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储器(qì)的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前(qián)沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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