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　　美光(guāng)公司在(zài)华销(xiāo)售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)存在(zài)较严重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施供(gōng)应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)办公室依法(fǎ)作出不(bù)予通过网(wǎng)络安全(quán)审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律(lǜ)法规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是(shì)防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)网络安全问题危害国家关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施安全(quán)，是维护国家安全(quán)的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢(huān)迎(yíng)各(gè)国企业、各类平台产品服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为(wèi)保(bǎo)障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华(huá)人民共和(hé)国国家(jiā)安(ān)全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网(wǎng)络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络(luò)安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来自中国市(shì)场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市(shì)场一周期是什么意思是多少天咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等(děng)国际(jì)存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购(gòu)占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游(yóu)建立(lì)国内外(wài)广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或将导致下游客(kè)户转而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等(děng)竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 一周期是什么意思是多少天60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更(gèng)多(duō)设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计(jì)为(wèi)75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额(é)提升(shēng)，以及存储业务占比较高(gāo)的华(huá)海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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