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　　美光公司(sī)在华(huá)销售的(de)产品未通过(guò)网络安全审(shěn)查

　　据(jù)网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)对美(měi)光公司(sī)在华销售(shòu)产品(pǐn)进行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在较严(yán)重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)供应(yīng)链造成(chéng)重大安全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络(luò)安全(quán)审查，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问题(tí)危害国家关键信息基础设(shè)施(shī)安全，是(shì)维护国家(jiā)安全的(de)必(bì)要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平(píng)台产品服务(wù)进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关(guān)键信息基(jī)础设施供应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐患造(zào)成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华(huá)人民(mín)共和国国家安(ān)全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对(d奶茶色口红适合什么肤色的人，肉桂奶茶色口红适合什么肤色uì)美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在(zài)华(huá)销售(shòu)的产品实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全(quán)球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市场收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已经显著下(xià)降，至(zhì)少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和(hé奶茶色口红适合什么肤色的人，肉桂奶茶色口红适合什么肤色)第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期(qī)合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下游市场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存(cún)储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如(rú)果(guǒ)美(měi)光在中国(guó)区(qū)销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂或(huò)从中受益。存储器的(de)生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自(zì)长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额(é)提升，以及存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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