大家(jiā)好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华(huá)销售的(de)产(chǎn)品未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法对美光公(gōng)司在华销售(shòu)产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司(sī)产品存在较(jiào)严(yán)重网络安(ān)全问题(tí)隐患，对我国关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链造成重大安全(quán)风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，改造文章的祖师是谁 改造文章的祖师爷是谁rong>我国内关键信息(xī)基础设施的运营者应停止采购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品进行网(wǎng)络安(ān)全审查，目(mù)的是(shì)防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎(yíng)各(gè)国企业、各类(lèi)平台产品服务进(jìn)入(rù)中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民(mín)共和国(guó)国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安(ān)全(quán)审查办公(gōng)室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实(shí)施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也是全球存(cún)储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过(guò)美光等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不(bù)是主(zhǔ)要大(dà)供(gōng)应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大(dà)、第二大和第(dì)三大供(gōng)应商采(cǎi)购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波(bō)龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西部数据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性(xìng)，巩固公(gōng)司(sī)在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公(gōng)司(sī)也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储器(qì)的生(shēng)产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需(xū)求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名(míng)单，设备国产化(huà)进(jìn)程加速，看(kàn)好拓改造文章的祖师是谁 改造文章的祖师爷是谁荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较高的(de)华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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