大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华销售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存(cún)在较严重网络安全问题(tí)隐患，对(duì)我国关(guān)键信息基础设(shè)施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通(tōng)过网络安(ān)全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基(jī)础设(shè)施的运营者应停止采购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查(chá)，目的(de)是(shì)防范产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害国家(jiā)关(guān)键信息(xī)基础设施安(ān)全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)供应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品问题隐患造(zào)成(chéng)网络(luò)安(ān)全(quán)风险，维护国(guó)家安全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室(shì)按(àn)照(zhào)《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露过(guò)美光等国际存(cún)储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占比已经显著(zhù)下(xià)降，至(zhì)少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列江波龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立(lì)国内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部(bù)数据(jù)等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析(xī)，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转而采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上(shàng)游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的(de)孔或(huò)者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国(guó)限制名单，设备国产化(huà)进程(chéng)加(jiā)速(sù)，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等相关work on的用法以及语法，workon的用法总结(guān)公司份额提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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