大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的产品未通过网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前(qián)，网络(luò)安全审查办(bàn)公室(shì)依法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施(shī)供(gōng)应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不(bù)予通过网络安(ān)全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施的运营(yíng)者应(yīng)停(tíng)止采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品进行网络安(ān)全审查，目的(de)是防范产品网络(luò)安全问题(tí)危害国家(jiā)关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施安全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规要(yào)求，欢(huān)迎各国(guó)企(qǐ)业、各类(lèi)平台(tái)产品(pǐn)服务进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施供应(yīng)链安(ān)全，防范(fàn)产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人(rén)民共和(hé)国网络安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是(shì)美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、踢足球可以长高个子吗，为什么踢足球的个子矮美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙踢足球可以长高个子吗，为什么踢足球的个子矮、佰维存(cún)储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下(xià)降，至少已经不是(shì)主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二大和第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波(bō)龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也(yě)与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到(dào)限制(zhì)，或(huò)将导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为最关(guān)键(jiàn)、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需(xū)求(qiú)。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)份额提升(shēng)，以及(jí)存储业务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清(qīng)科(kē)（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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