大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前(qián)，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室依法对美光公司在华(huá)销售产品进行了(le)网络安(ān)全(quán)审查。

　　审(shěn)查(chá)发(fā)现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应链(liàn)造成(chéng)重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全审查的(de)结论。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础设(shè)施的运(yùn)营者应停(tíng)止采(cǎi)购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司(sī)产(chǎn)品进行网络(luò)安全审查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安全问题(tí)危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护(hù)国家安(ān)全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规要求，欢(huān)迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发(fā)文称，为保障关键信(xìn)息基础设(shè)施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和(hé)国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安(ān)全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实(shí)施网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片(831143是什么意思piàn)巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过美光(guāng)等国(guó)际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大、第二大(dà)和第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链(liàn)上下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优(yōu)831143是什么意思势，公司也与国内国(guó)产(chǎn)存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深(shēn)的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催生更(gèng)多(duō)设(shè)备(bèi)需(xū)求(qiú)。据东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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