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　　美光公司在华销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络(luò)安全(quán)问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)供应链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依(yī)法作出不予通过(guò)网络安(ān)全审(shěn)查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内(nèi)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对美光公司(sī)产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网络安全问题(tí)危害国家关键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服(fú)务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问(wèn)题隐患(huàn)造成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安(ān)全审查办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自(zì)中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年(nián)约(yuē)11％。根(gēn)据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公(gōng)司披露过美光等国际(jì)存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波(bō)龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业(yè)链上下游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也(yě)与国内(nèi)国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分(fēn)析，如(rú)果美光在中国区(qū)销售受到限(xiàn)制，或(huò)将导(dǎo)致下(xià)游(yóu)客户(hù)转而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器的生产已经演(yǎn)进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设(shè)备需(xū)求。据东京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国限制名单，设(shè)备(bèi)国产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份额(é)提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占比(bǐ哆瑞咪发嗦啦西哆8个音怎么写 - 手机爱问，哆瑞咪发嗦啦西哆8个音怎么读)较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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