大家好，来看(kàn)一则突发消息(xī)。

　　美光公司(sī)在华(huá)销售的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法对(duì)美光(guāng)公司在华销售(shòu)产品进(jìn)行了网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规(guī)，我国内关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司(sī)产(chǎn)品进行网络安全审查(chá)，目的(de)是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安(ān)全(quán)的必要措施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平对(duì)外开放，只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称(chēng)，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络(luò天润奶啤有度数吗，天润奶啤千万别喝)安全(quán)风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华(huá)人民共和国(guó)国(guó)家安全(quán)法》《中华人民(mín)共和国(guó)网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办公室按(àn)照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公司披(pī)露(lù)过美光等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波天润奶啤有度数吗，天润奶啤千万别喝龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二(èr)大和第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额(é)占比分(fēn)别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存(cún)储产业链(liàn)上下(xià)游建立国内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确(què)保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司(sī)也(yě)与国内国(guó)产(chǎn)存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果(guǒ)美光在(zài)中国(guó)区(qū)销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购(gòu)国(guó)外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等(děng)竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受益。存储器的(de)生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美(měi)国(guó)限制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比(bǐ)较(jiào)高(gāo)的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长(zhǎng)。

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