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　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了(le)网络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息(xī)基础设施供应链造成(chéng)重大安全风(fēng)险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络(luò)安(ān)全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律(lǜ)法规，我国内(nèi)关键信息基(jī)础设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施(shī)安全(quán)，是(shì)维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平(píng)对外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进入中国市(shì)场。

　　吾妻之美我者的美是什么意思，吾妻之美我者的美是什么用法src="http://getimg.jrj.com.cn/images/2023/05/weixin/one_20230521204212185.png">

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成(chéng)网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和(hé)国(guó)国家(jiā)安全法》《中华人民共(gòng)和国网络(luò)安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网(wǎng)络(luò)安(ā吾妻之美我者的美是什么意思，吾妻之美我者的美是什么用法n)全(quán)审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实(shí)施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片(piàn)行业龙头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自(zì)中国市场收入从(cóng)此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经(jīng)不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商(shāng)采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经(jīng)在存(cún)储产业(yè)链上下(xià)游建立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波(bō)龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据(jù)等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市(shì)场的(de)供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美(měi)光在(zài)中国区(qū)销(xiāo)售受(shòu)到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的(de)生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最(zuì)关键、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉(chén)积(jī)工(gōng)艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设(shè)备需求。据东京电(diàn)子(zi)披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江存储被(bèi)加(jiā)入美国限制名单(dān)，设(shè)备(bèi)国产(chǎn)化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增长。

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