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　　美光公(gōng)司在(zài)华销售的产品未通过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法(fǎ)对美光(guāng)公司在(zài)华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严(yán)重网络安(ān)全(quán)问题隐患，对我国(guó)关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依(yī)法作出不予通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础设(shè)施的运(yùn)营(yíng)者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络(luò)安全审查(chá)，目的(de)是(shì)防范产品网络安全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要求，欢迎各(gè)国(guó)企业、各类平台(tái)产(chǎn)品服(fú)务进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应(yīng)链(liàn)安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全(quán)风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民(mín)共(gòng)和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络安全审查(chá)办公室(shì)按照《网络安(ān)全审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Mi香水闻多了会致癌吗，女士公认10大好闻的香水cron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入(rù)从(cóng)此前香水闻多了会致癌吗，女士公认10大好闻的香水高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光(guāng)等(děng)国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链(liàn)上下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公(gōng)司在(zài)下(xià)游市场的(de)供应优势(shì)，公司也与国内国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如(rú)果美光在中(zhōng)国区销香水闻多了会致癌吗，女士公认10大好闻的香水售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户(hù)转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀(shí)目前(qián)前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业(yè)务占比较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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