大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的产品未通过网络(luò)安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进(jìn)行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影(yǐng)响我国(guó)国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国(guó)内(nèi)关键信息基(jī)础设施(shī)的运(yùn)营者应停(tíng)止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全(quán)审(shěn)查，目的是防范产品网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息基础设施安(ān)全，是(shì)维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平(píng)台(tái)产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问(wèn)题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照(zhào)《网络安(ān)全(quán)审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美(m馈赠的意思ěi)国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披(pī)露过美光等(děng)国际存储厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年(nián)年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署(shǔ)了长期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的(de)稳(wěn)定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场(chǎng)的(de)供应优势，公司也(yě)与国(guó)内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好(馈赠的意思hǎo)的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析(xī)，如果美光在中国区销(xiāo)售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单(dān)，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关(guān)公(gōng)司(sī)份额提(tí)升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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