大(dà)家好，来(lái)看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在(zài)华销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)未通(tōng)过网络安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华销售(shòu)产品进(jìn)行(xíng)了(le)网络安(ān)全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品存在(zài)较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影(yǐng)响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络(luò)安(ān)全法》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键信息基础(chǔ)设施(shī)的(de)运营者应停止采购美光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的(de)是防范产品网络安全(quán)问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护(hù)国(guó)家安全的必(bì)要措施。中国(guó)坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进(jìn)入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文(wén)称(chēng)，为保障(zhàng)关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施供应链安(ān)全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国(guó)网(wǎng)络(luò)安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办公室2018年中秋节是几月几号，2018年中秋节是哪一天阳历按照(zhào)《网络(luò)安(ān)全(quán)审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实(shí)施网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是(shì)全球存(c2018年中秋节是几月几号，2018年中秋节是哪一天阳历ún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市场收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国(guó)际存(cún)储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大(dà)存(cún)储晶圆(yuán)供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大(dà)和第三大(dà)供应(yīng)商采购金(jīn)额占(zhàn)比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经在存(cún)储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如(rú)果(guǒ)美光在(zài)中国(guó)区(qū)销售受到限制，或将导致下(xià)游客户转而(ér)采(cǎi)购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益(yì)。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被(bèi)加入美国(guó)限(xiàn)制名单(dān)，设备国(guó)产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公(gōng)司份额提(tí)升，以及(jí)存储业务占比(bǐ)较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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