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　　美(měi)光公司在华销售的产品(pǐn)未通(tōng)过(guò)网络安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信(xìn)办(bàn)消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全审查办公室依(yī)法对美光(guāng)公司在华销售(shòu)产品进行(xíng)了网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全(quán)问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重(zhòng)大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公女人长期喝补血口服液好不好，女人补气补血口服液十大品牌室依法作出不予(yǔ)通过(guò)网络安全(quán)审查(chá)的(de)结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施(shī)的运营(yíng)者应(yīng)停止采(cǎi)购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行(xíng)网络安全审查(chá)，目(mù)的是防范产品网络安(ān)全问题危(wēi)害国家关键(jiàn)信息基础设施(shī)安全(quán)，是(shì)维护(hù)国家安全(quán)的必(bì)要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进(jìn)高(gāo)水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文(wén)称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民(mín)共和(hé)国网络安全法》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对(duì)美(měi)光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储芯片行业(yè)龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中国市(shì)场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存(cún)储等(děng)公(gōng)司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至(zhì)少已经不是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列(liè)江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第三(sān)大供(gōng)应(yīng)商采购金(jīn)额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期(qī)合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前(qián)就分析女人长期喝补血口服液好不好，女人补气补血口服液十大品牌，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户转而(ér)采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维(wéi)到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会(huì)更深的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需(xū)求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存(cún)储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名(míng)单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关(guān)公司份额(é)提升，以及存(cún)储业务(wù)占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入(rù)增长。

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