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　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据(jù)网大π键电子数的计算方法，大π键电子数怎么看信办消息(xī)，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品存在较严(yán)重网络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设(shè)施供(gōng)应链(liàn)造成重大(dà)安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键信息基础设(shè)施的(de)运营者应停大π键电子数的计算方法，大π键电子数怎么看止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是(shì)防范产品(pǐn)网络(luò)安全问(wèn)题危害国(guó)家关键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)安全，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚(jiān)定(dìng)推进(jìn)高水(shuǐ)平对(duì)外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服(fú)务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民(mín)共和(hé)国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民(mín)共和国网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光(guāng)等国际存储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大和第三大(dà)供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存(cún)储产业链上下游建立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合约，确保(bǎo)存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、合(hé)肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如(rú)果(guǒ)美光在(zài)中国区销售受到限制(zhì)，或(huò)将(jiāng)导致下游客(kè)户转而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从中受益(yì)。存(cún)储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会(huì)更(gèng)深的(de)孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入(rù)美国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化(huà)进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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