大(dà)家(jiā)好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光(guāng)公司在华(huá)销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信(xìn)办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室(shì)依法作出不予通过网络安全审查悲守穷庐将复何及啥意思，悲守穷庐将复何及表达了什么愿望的结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法规，我(wǒ)国(guó)内关键信息(xī)基础设施(shī)的运营(yíng)者(zhě)应停止(zhǐ)采购(gòu)美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公(gōng)司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害(hài)国家关键信息基础设施安(ān)全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施供应链安(ān)全，防(fáng)范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护(hù)国(guó)家(jiā)安全(quán)，依据(jù)《中华人民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络(luò)安全法》，网络安(ān)全审查办公(gōng)室(shì)按(àn)照《网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约悲守穷庐将复何及啥意思，悲守穷庐将复何及表达了什么愿望(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露(lù)过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波(bō)龙采购占比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商(shāng)采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业(yè)链上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三(sān)星、美(měi)光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂或从(cóng)中受益(yì)。存(cún)储(chǔ)器的(de)生产已经(jīng)演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求(qiú)。据(jù)东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加入美国限制(zhì)名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关公司份额(é)提升，以(yǐ)及(jí)存储业务(wù)占比较高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长悲守穷庐将复何及啥意思，悲守穷庐将复何及表达了什么愿望(zhǎng)。

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