大(dà)家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售(shòu)的(de)产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在华销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公(gōng)司(sī)产品存在(zài)较严(yán)重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造(zào)成重(zhòng)大安(ān)全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国(guó)国家安(ān)全。为此，网络安(ān)全(quán)审查办公(gōng)鹅颈藤壶多少钱一斤，鹅颈藤壶和佛手螺一样吗室(shì)依法作出不(bù)予(yǔ)通过网络安(ān)全审查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施的运营(yíng)者应停止采购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次(cì)对美(měi)光公司产品(pǐn)进行(xíng)网络安全审(shěn)查，目的是防(fáng)范产品网络安全问(wèn)题危害国家关(guān)键信息(xī)基础设施安全，是维护(hù)国家安(ān)全(quán)的必(bì)要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水(shuǐ)平(píng)对外开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要(yào)求，欢(huān)迎(yíng)各国企业(yè)、各类平台产品服务进(jìn)入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文(wén)称，为保障关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室(shì)按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来(lái)自中国市(shì)场收入从(cóng)此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存储等公司(sī)披露过美光等国(guó)际存(cún)储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产(chǎn)业链上下游建立国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报(bào)显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西(xī)部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的(de)稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在下游(yóu)市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公(gōng)司(sī)也(yě)与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区销售(shòu)受到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更(gèng)深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司(sī)份额提升(shēng)，以及(jí)存(cún)储业务(wù)占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长。

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