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　　美光公司在华销售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室(shì)依(yī)法对美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售产品进行了网络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá)。

　　审(shěn)查(chá)发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对(duì)我国(guó)关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设(shè)施供应链(liàn)造(zào)成重大安全(quán)风险，影响我国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安全审查(chá)办公室(shì)依(yī)法作出不予通过(guò)网络安全审查(chá)的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础设施(shī)的运营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危(wēi)害(hài)国家(jiā)关(guān)键(jiàn)信息基础设施安全，是维(wéi)护国家(jiā)安全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办公室(shì)按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市(shì)场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等国际(jì)存储厂商(shāng)为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙(lóng)采(cǎi)购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；202这都有水了还说不想要，啊怎么这么多水啊2年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大和第三大供(gōng)应(yīng)商(shāng)采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存储产业(yè)链上下游建(jiàn)立(lì)国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期(qī)合(hé)约，确(què)保存(cún)储晶(jīng)圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国内(nèi)国(guó)产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在(zài)中国(guó)区销售受到(dào)限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)、这都有水了还说不想要，啊怎么这么多水啊长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多(duō)设(shè)备需求(qiú)。据东京电子(zi)披(pī)露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加(jiā)入美国(guó)限制名单(dān)，设备国(guó)产(chǎn)化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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