大家(jiā)好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美(měi)光公司在华(huá)销(xiāo)售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室依法对美光公司(sī)在华销售(shòu)产(chǎn)品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存(cún)在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)造成重大安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办公室(shì)依法作出不予通(tōng)过网络安(ān)全审查的结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设(shè)施(shī)的运营者(zhě)应(yīng)停止采购美光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施(shī)。中国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发(fā)文称(chēng)，为保(bǎo)障(zhàng)关(guān)键信息基础设施供应链(liàn)安全(quán)，防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网络安(ān)全风险，维护(hù)国家安(ān)全，依据《中华人民(mín)共和(hé)国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等(děng)国际存储厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著大清道光元年是哪一年，道光元年是哪一年到哪一年(zhù)下降，至少已(yǐ)经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波(bō)龙第一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额(é)占比(bǐ)分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙(lóng)已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市场的(de)供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存(cún)储(chǔ)、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好的合(hé)作。<大清道光元年是哪一年，道光元年是哪一年到哪一年/p>

　　有券商此前(qián)就分析，如果美(měi)光在(zài)中国(guó)区销售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从中受益。存(cún)储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键(jiàn)、最大(dà)量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层(céng)均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需求。据东(dōng)京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名单，设备国(guó)产(chǎn)化进程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关(guān)公司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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