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　　美(měi)光公司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息，日前(qián)，网络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络安(ān)全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美(měi)光公司产品存在(zài)较严重网络安全(quán)问题(tí)隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依法作出(chū)不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关键信息(xī)基础设施的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司产品进(jìn)行网(wǎ英红九号是名茶吗，英九红茶叶价格一览表ng)络安(ān)全审查，目(mù)的是防范(fàn)产品网络安全(quán)问题(tí)危害国家关键信息基础设施安全，是(shì)维护(hù)国家安全的(de)必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国(guó)网信(xìn)网发文称，为保障(zhàng)关键信息基(jī)础设施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络(luò)安全风险，维(wéi)护国家安全，依(yī)据《中华人(rén)民共(gòng)和国国(guó)家安(ān)全(quán)法》《中华人民共(gòng)和国(guó)网(wǎng)络(luò)安全(quán)法》，网络安全(quán)审(shěn)查办公室(shì)按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收入来(lái)自中国市场收入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光(guāng)在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司(sī)中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披(pī)露过美光等(děng)国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大(dà)供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)、第(dì)二大和第三大供应商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链(liàn)上下游建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显示，江(jiāng)波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶(jīng)英红九号是名茶吗，英九红茶叶价格一览表圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保(bǎo)存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的(de)供(gōng)应优(yōu)势，公(gōng)司也与国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，英红九号是名茶吗，英九红茶叶价格一览表长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储器(qì)的生产(chǎn)已(yǐ)经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国限制名(míng)单，设(shè)备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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