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　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对美光公司(sī)在华销(xiāo)售产品进行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络圆的直径符号字母表示R，圆的直径符号字母表示什么安全问题隐患，对我国关(guān)键信息(xī)基础设施供应(yīng)链造成重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过网络安全审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营(yíng)者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安全审查(chá)，目的(de)是防范产品网络安全问题危害(hài)国家关键信息基础设施安(ān)全，是(shì)维(wéi)护国家安(ān)全的(de)必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平(píng)对外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保(bǎo)障关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链安(ān)全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民(mín)共(gòng)和(hé)国(guó)国(guó)家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全(quán)审查办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等(děng)公(gōng)司(sī)披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已经不是(shì)主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大、第二(èr)大和第(dì)三(sān)大供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确(què)保(bǎo)存(cún)储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国(guó)产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉(hàn)长江存(cún)储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分析(xī)，如(rú)果美光(guāng)在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限制，或将(jiāng)导致下游客(kè)户转而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海(hǎi)力士(shì)，国(guó)内长江(jiāng)存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关(guān)键(jiàn)、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层(céng)均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿(yán)要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美(měi)国限制名单，设圆的直径符号字母表示R，圆的直径符号字母表示什么备国产化进(jìn)程加(jiā)速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业(yè)务占比较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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