大家好(hǎo)，来看一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公司在华(huá)销售的(de)产品未通过网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法对美光(guāng)公司在(zài)华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，艺高人胆大什么意思打一生肖，艺高人胆大什么意思 说明人有较强动机g>美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为(wèi)此(cǐ)，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，艺高人胆大什么意思打一生肖，艺高人胆大什么意思 说明人有较强动机g>我国内(nèi)关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止采购美光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害(hài)国家关键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全(quán)的必要(yào)措施。中国坚定推进高(gāo)水平(píng)对(duì)外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文称，为(wèi)保障关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链安(ān)全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国(guó)国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场(chǎng)收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidig艺高人胆大什么意思打一生肖，艺高人胆大什么意思 说明人有较强动机m 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不(bù)是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第二大和第三(sān)大(dà)供(gōng)应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国(guó)内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数(shù)据等主要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的(de)供(gōng)应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或(huò)将(jiāng)导致下游(yóu)客户(hù)转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备(bèi)国(guó)产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关(guān)公司(sī)份额(é)提升，以及存储(chǔ)业(yè)务占(zhàn)比较高的(de)华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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