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　　美光公司(sī)在华销售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公(gōng)司(sī)在华(huá)销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严(yán)重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国(guó)关(guān)键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　张都监是什么级别的官，水浒官职品级一览表此次(cì)对美光公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害(hài)国家关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施安全，是维(wéi)护(hù)国家安(ān)全(quán)的(de)必要措施(shī)。中国坚定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网(wǎng)信网发(fā)文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网(wǎng)络(luò)安(ān)全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共(gòng)和国国家(jiā)安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网(wǎng)络安全(quán)法(fǎ)》，网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光(gu张都监是什么级别的官，水浒官职品级一览表āng)在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披(pī)露(lù)过美光等国(guó)际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链上下游建立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西(xī)部(bù)数据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩固公司在(zài)下游市(shì)场的(de)供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光(guāng)在中国(guó)区销售受到限制，或将导(dǎo)致(zhì)下游客户(hù)转而采(cǎi)购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关(guān)键(jiàn)、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会更深的(de)孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相(xiāng)关公司(sī)份(fèn)额提(tí)升(shēng)，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增(zēng)长。

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