大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华销(xiāo)售(shòu)的产品(pǐn)未(wèi)通(tōng)过网络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办公室依法对美(měi)光公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产(chǎn)品存(cún)在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办公室依(yī)法作出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者(zhě)应停止采(cǎi)购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司(sī)产洗面奶含皂基成分好不好，长期使用氨基酸洗面奶的危害(chǎn)品进(jìn)行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的是(shì)防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护国家(jiā)安全的(de)必(bì)要(yào)措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类(lèi)平(píng)台(tái)产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)供应(yīng)链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron洗面奶含皂基成分好不好，长期使用氨基酸洗面奶的危害）在华(huá)销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国(guó)的(de)存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存(cún)储等公司(sī)披露过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列(liè)江波(bō)龙(lóng)第一大(dà)存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应(yīng)商采购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储(chǔ)产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙(lóng)与三(sān)星(xīng)、美光、西(xī)部(bù)数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期(qī)合约，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区销售(shòu)受到限制，或(huò)将导致(zhì)下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产(chǎn)品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或(huò)从中受益。存(cún)储器(qì)的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前(qián)前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美(měi)国限制(zhì)名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占(zhàn)比较(jiào)高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

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