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　　美光公司在华(huá)销(xi桂l车牌是哪里 桂L车牌号城市代号āo)售的产品桂l车牌是哪里 桂L车牌号城市代号未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依(yī)法对美光公司在华销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设(shè)施(shī)供应链造成(chéng)重大安全风险，影(yǐng)响我国国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依(yī)法作出不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网(wǎng)络安全(quán)审查，目的是防范产品网络安(ān)全(quán)问题危害(hài)国家关(guān)键信息(xī)基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要(yào)措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开(kāi)放，只要(yào)遵(zūn)守中国法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服(fú)务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施供应链安全(quán)，防范(fàn)产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安(ān)全风险，维护国家安(ān)全(quán)，依(yī)据《中华(huá)人(rén)民共和国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美(měi)光(guāng)是美国的(de)存(cún)储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波(bō)龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显著(zhù)下降，至少已(yǐ)经不(bù)是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供应商采购金(jīn)额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市(shì)场(chǎng)的(de)供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将(jiāng)导致下(xià)游(yóu)客户转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可(kě)能会(huì)更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备需(xū)求。据(jù)东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美国(guó)限制名(míng)单，设(shè)备国(guó)产(chǎn)化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长。

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