大家(jiā)好，来看一则突(tū)发消息。

　　美(měi)光(guāng)公司在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的(de)产(chǎn)品(pǐn)未通(tōng)过网络安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光公司(sī)在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全(quán)问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应(yīng)链造成(chéng)重大安(ān)全风险，影响我国国家安全(quán)。为(wèi)此，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依(yī)法作(zuò)出不予通过(guò)网络安全审查(chá)的结(jié)论(lùn)。按照《网络(luò)安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息基础设施的(de)运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防(fáng)范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的(de)必要措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平台产品服务进入(rù)中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关(guān)键信息基础设(shè)施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造(zào)成网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人(rén)民共和(hé)国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在(zài)华(huá)销(xiāo)售的(de)产品实施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国(guó)市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部(bù)数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披露过美(měi)光等国际疏离感和陌生感的意思是什么，疏离感和陌生感的区别存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经(jīng)显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列(liè)江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立(lì)国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部(bù)数据等(děng)主要存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势，公(gōng)司也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分析(xī)，如(rú)果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器(qì)的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国(guó)限制名(míng)单，设备(bèi)国(guó)产化进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额(é)提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(疏离感和陌生感的意思是什么，疏离感和陌生感的区别zēng)长。

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