大家(jiā)好，来看一则(zé)突(tū)发(fā)消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华(huá)销售的产(chǎ加湿器必须加纯净水吗，加湿器用纯净水太贵怎么办水n)品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依(yī)法对美光公司(sī)在(zài)华销售产品进行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)存在较(jiào)严(yán)重网络安全问(wèn)题隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重(zhòng)大(dà)安全风(fēng)险，影(yǐng)响我(wǒ)国国(guó)家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查(chá)的(de)结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等法律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信息(xī)基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网络安全(quán)问题(tí)危害(hài)国家关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国家安全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水平对外(wài)开放(fàng)，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台(tái)产(chǎn)品(pǐn)服(fú)务进入中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障(zhàng)关键信息基础设(shè)施供应链安全，防(fáng)范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少已经(jīng)不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应(yīng)商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第三大供应(yīng)商(shāng)采购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光(guāng加湿器必须加纯净水吗，加湿器用纯净水太贵怎么办水)、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在(zài)中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂(chǎng)或(huò)从(cóng)中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加(jiā)入美国限制名单(dān)，设(shè)备国产化(huà)进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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