大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司(sī)在华销售的(de)产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息(xī)，日(rì)前，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法对(duì)美光公(gōng)司在(zài)华(huá)销售产品进(jìn)行了网络安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司(sī)产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安(ān)全审(shěn)查办公室(shì)依法(fǎ)作出(chū)不予通过网络安全审查的(de)结(jié)论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产品进行网络(luò)安全审查，目的是(shì)防范产品网络安全问题(tí)危害国(guó)家关键信息(xī)基础设施安(ān)全，是维(wéi)护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)要(yào)求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供(gōng)应链安全(quán)，防范(fàn)产品(pǐn)问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据《中华人(rén)民(mín)共和国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共(gòng)和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市(shì)场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美(měi)光(guāng)等国际存储厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光(guāng)位列(liè)江波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了(le)长(zhǎng)期(qī)合约(yuē)，确(què)保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析(xī)，如果美光在中国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK干腊肉特别硬怎么处理，腊肉太干太硬变软小妙招海力士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂(chǎng)或(huò)从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Fla干腊肉特别硬怎么处理，腊肉太干太硬变软小妙招sh现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会(huì)更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被(bèi)加入美国限制名单，设(shè)备(bèi)国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公(gōng)司份额(é)提(tí)升(shēng)，以及存储业(yè)务占(zhàn)比(bǐ)较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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