大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过(guò)网络安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司(sī)在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司(sī)产品存在(zài)较严重网络安(ān)全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大(dà)安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查(chá)办公室依(yī)法作出不予通(tōng)过网络安(ān)全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础设施的运营者应停止采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产品(pǐn)进行(xíng)网络安全审(shěn)查，目的(de)是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施(shī)安全，是(shì)维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵(zūn)守中国法律法规(guī)要(yào)求，欢(huān)迎各(gè)国(guó)企业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文(wén)称(chēng)，为保障关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全(quán)审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售(shòu)的(de)产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一(yī)，2022年(nián)收入来(lái)自中国(guó)市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光(guāng)位(wèi)列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链上(shàng)下游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下游市场的(de)供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析(xī)，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益(yì)。存储器的(de)生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加(jiā)工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能(néng)会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备(bèi)需求。据(jù)东京(jīng)电(diàn)子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设(shè)备及预期收益率计算公式 预期收益率是什么(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存(cún)储业(yè)务(wù)占(zhàn)比较高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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